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新聞詳情
英飛凌模塊的發展
日期：2025-12-12 20:20
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摘要： 英飛凌模塊碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導體組別。與常用硅(Si)器件相比，它們為高壓功率半導體提供了許多有吸引力的特性。SiC器件有可能在對效率、功率密度參數敏感的應用的領域得到率先應用。業界一致認為電動車充電樁與光伏發電是兩個比較典型的急需從傳統的Si器件升級到SiC器件的應用。英飛凌一直在不斷開發碳化硅前沿的技術，產品以及解決方案，致力于滿足用戶對節能，提升效率、縮減尺寸、系統集成和提高可靠性的需求。
新的CoolSiC模塊使用英飛凌的碳化硅溝槽MOSFET結構，能獲得更高的芯片密度，英飛凌新...
英飛凌模塊碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導體組別。與常用硅(Si)器件相比，它們為高壓功率半導體提供了許多有吸引力的特性。SiC器件有可能在對效率、功率密度參數敏感的應用的領域得到率先應用。業界一致認為電動車充電樁與光伏發電是兩個比較典型的急需從傳統的Si器件升級到SiC器件的應用。英飛凌一直在不斷開發碳化硅前沿的技術，產品以及解決方案，致力于滿足用戶對節能，提升效率、縮減尺寸、系統集成和提高可靠性的需求。
新的CoolSiC模塊使用英飛凌的碳化硅溝槽MOSFET結構，能獲得更高的芯片密度，英飛凌新興技術主管MarkMünzer表示：“隨著SiC器件價格的大幅下降，SiC解決方案的商業化將加速，從而使SiC技術被廣泛應用于提升電動車的續航里程。”
